来源：thznetwork.net；电子科技大学太赫兹研究中心 四川太赫兹应用研究联合课题组 王维 编译

    by Noriaki Horiuchi
    Nature Photonics 6, 213 (2012). doi:10.1038/nphoton.2012.62

    Opt. Express 20, 3866–3876 (2012)

    关于验证室温太赫兹量子级联电子激光器的研究一直在进行中。

    而主要问题是太赫兹量子级联激光器的增益取决于其粒子数反转以及振子强度，而这个是很难同时优化的。

    Saeed Fathololoumi和来自加拿大国家研究委员会，滑铁卢大学，马萨诸塞州科技协会，慕尼黑工业大学以及上海交通大学的同事们现在已经采用一密度矩阵的方法去近似THz量子级联激光器增益的最大值，并得到了激光的温度为199.5 K。

    此THz QCL是基于GaAs/Al0.15Ga0.85As，并且有三重阱结构。

    这个装置的有源区厚度，脊宽和长度分别为10um，144um，1mm。

    研究者采用无顶部n掺杂接触层铜-铜双金属波导来减少QCL里的波导损失。

    在重复率为300Hz持续时间为300 ns的脉冲电力驱动下，这个装置能产生3.22THz的一个波长单模辐射。

    他们测得阈值电流在1.92 kA cm²左右。