来源：中国电科信息网

    近日，据国家自然科学基金委公布结果显示，中国电子科技集团第五十研究所（以下简称50所）“新型离子注入形成吸收层的平面型GaAs基阻挡杂质带探测器及其制备研究”获国家自然科学基金资助。该项目由50所总体部承担，这是该所第一次获得该基金资助，将为太赫兹探测器的研究提供有力支持。

    GaAs基阻挡杂质带探测器，是太赫兹技术研究的一个全新领域，在天基太赫兹探测领域具有极好的应用前景，国外对此研究也刚刚起步。50所积极开展相关研究，希望通过研究成果，有力支撑新一代关键太赫兹探测器在我国军民两用领域及天文科学研究中的发展。